硅中氧碳含量检测干涉仪

1）适合于硅材料的氧、碳含量的测定；
2）可实现硅料中氧碳含量自动、快速、准确的测量；
3）具备完整的谱图采集、光谱转换、光谱处理、光谱分析及输出功能，使得操作更简单、方便、灵活。
4）全密封防潮、防尘干涉仪的设计使仪器对环境的适应能力更强。
5）外置式红外光源部件的设计使得仪器具有更高的热学稳定性，无须动态调整就具有稳定的干涉度。
6）高强度红外光源采用球形反射装置，可获得均匀、稳定的红外辐射。
7）程控增益放大电路、高精度A/D转换电路的设计及嵌入式微机的应用，提高了仪器的精度及可靠性；
8）光谱仪与计算机间通过USB方式进行控制和数据通讯，完全实现即插即用。
9）通用微机系统，全中文应用软件界面友好、内容丰富。
10）**样品固定架；
11）高稳定性和抗震性；
12）保质期：12个月。

技术参数：
1）检测下限：1.0X1016cm-3(常温)；
2）检测硅料硅片厚度范围为：0.1~3.5mm；
3)波数范围：7800cm-1~400cm-1
4）分辨率：优于0.5 cm-1
5)波数精度：±0.01 cm-1
(1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度为±10%。
(2) FZ-Si（区熔硅）中氧含量精密度为±20%，检测下限为1×1016 cm-3 。符合“硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1557-89)的要求。

6)扫描速度：0.2~2.5 cm/s，微机控制，选择不同的扫描速度，档次连续可调。
7) 信噪比：优于15，000：1（RMS值，在2100 cm-1 处，4 cm-1分辨率，DTGS探测器，1分钟数据采集。）
8) 分数器：KBr基片镀锗
9)  探测器：标准配置DTGS，任选MCT
10)光源：高强度空气冷却红外光源